▍爱仕特与瑞福芯科技签订碳化硅合作协议
近日，深圳爱仕特科技有限公司（以下简称“爱仕特”）与安徽瑞福芯科技有限公司（以下简称“瑞福芯科技”）签署战略合作协议。基于双方签署的战略合作协议，在未来数年内瑞福芯科技生产的SiC MOS模块将全部采用爱仕特的SiC MOS芯片，爱仕特将为瑞福芯科技批量供应车用功率模块所需的1200V/17毫欧及1700V/17毫欧的SiC MOS芯片，并协助瑞福芯科技建设模块工厂，保证其后续的量产需求。目前爱仕特的1200V/800A DCM模块已交付瑞福芯科技，在西南某新能源车厂定点测试，预计今年开始批量装车。据悉，福瑞芯科技由上市公司南京商络投资，一期建立预计年产30万只的模块工厂，主要产品为车用SiC MOS功率模块。
▍盖泽半导体首台国产SiC外延膜厚测量设备顺利交付
目前，华矽盖泽半导体科技（上海）有限公司（简称“盖泽半导体”）自主研发生产的SiC外延膜厚测量设备GS-M06Y已正式交付客户。GS-M06Y将应用于半导体前道量测，主要针对硅外延/碳化硅外延层厚度进行测量。GS-M06Y设备采用了盖泽半导体自主研发的高精算法、Load Port、控制软件以及FTIR光路系统。公司自主研发的FTIR光路系统，可快速检测晶圆厚度，实现了扫描速度快、分辨率高、灵敏度高等需求。
据悉，此次出货的设备与以往不同，此台设备运用盖泽半导体最新研发的碳化硅外延检测技术，可对碳化硅外延精准测量，是继盖泽半导体9月硅外延检测设备出货后，公司的又一里程碑。盖泽半导体不仅突破了SiC外延检测技术，还可实现一代半导体（硅外延6英寸&8英寸&12英寸）、二代半导体（砷化镓、磷化铟衬底外延4英寸&6英寸&8英寸）、三代半导体（碳化硅外延4英寸&6英寸&8英寸、氮化镓外延）、SOI片顶层硅6英寸&8英寸&12英寸，以及锗硅外延制程工艺中不同的外延层厚度测量。
▍宇环数控：碳化硅设备部分环节已有样机、现处于技术指标验证阶段
近日，宇环数控在接受机构调研时表示，公司碳化硅设备可参与到碳化硅材料加工的晶锭端面磨削，晶锭外圆磨削、磨参考边，晶圆片双面减薄、抛光等工序，部分环节已有样机、现处于技术指标验证阶段；部分环节的设备仍在研发中。公司碳化硅设备尚未取得客户订单，公司技术研发进展和客户验证结果均存在较大不确定性。
来源：吴晰 芯TIP
