导电型4H-SiC外延晶片

      深圳市重投天科半导体有限公司为客户提供低缺陷密度高均匀性的4、6英寸n型4H-SiC外延晶片，其中外延层厚度为1μm至35μm，掺杂浓度为1E15—1E18 cm^（-3）。产品主要用于制造结势垒肖特基功率二极管（JBS）、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和结型场效应晶体管（JFET）。其应用领域包括白色家电等消费电子、电动汽车、轨道交通、国家电网、航空航天、军民融合和机载舰载电源等。

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