截至目前为止，全球共有15家企业成功研发出了8英寸碳化硅衬底，而Wolfspeed已经在今年4月宣布8英寸SiC量产，昨日，天科合达也正式对外发布了8英寸SiC。
2022年11月15日，天科合达参加第三届亚太地区碳化硅及相关材料国际会议暨首届徐州第三代半导体金龙湖论坛，天科合达主持了新品发布会，对外公布了其8英寸导电型碳化硅最新进展。徐州市委常委、经开区党工委书记张克、徐州市副市长吴卫东等徐州市领导出席了开幕式系列活动。
8英寸产品发布会启动现场
天科合达8英寸新产品发布会得到了第三代半导体行业的广泛关注。作为碳化硅衬底国内的龙头企业，天科合达不断突破大尺寸、高质量碳化硅的关键制备技术，引领了国内碳化硅衬底的产业化。
8英寸产品展出现场
天科合达副总经理、技术总监刘春俊在会议上公布了8英寸产品的关键实测数据。根据刘春俊博士的报告，天科合达8英寸导电型碳化硅产品的多项指标均处于行业内领先水平，已经达到了量产标准。并且，透露了将8英寸的小规模量产定在2023年。
8英寸产品报告会现场
天科合达技术副总监娄艳芳在接受徐州日报采访时表示，公司8英寸产品是在6英寸MOS级规格的基础上进行的研发，产品质量已达到行业一流水平。
北京天科合达总经理杨建在会上表示，北京天科合达起源于中科院物理所陈小龙教授科研项目及研究成果，2006年成立以来，一直坚守碳化硅衬底细分领域，目前产能规模已成为了行业国内第一、全球第四，入选了《2021全球独角兽榜》。北京二期和徐州二期进一步规划中，预计2025年底，6英寸有效年产能达到55万片，6到8英寸可根据实际需求进行快速产能切换，今后公司的国际竞争力和品牌影响力会进一步增强。据徐州市委常委、经开区党工委书记张克透露，他们将加快推进天科合达二期碳化硅衬底晶片项目（16万片）以及三期碳化硅外延片项目（100万片）。
天科合达这次发布的产品主要指标
1）碳化硅晶锭直径达到209毫米；
2）拉曼光谱测试数据表明，8英寸碳化硅晶片100%面积为4H晶型；
3）XRD三点摇摆曲线数据表明，半高宽小于20arcsec；
4）8英寸产品微管密度＜0.1/cm2，仅在晶片边缘存在极少量微管缺陷；
5）8英寸位错密度 EPD＜4000/cm2,TSD能达到100/cm2以下，BPD能达到200/cm2以下，位错密度整体处于国际领先水平。
