3月14日，三菱电机官网宣布，他们计划建设新的晶圆厂，以加强SiC功率半导体的生产。
根据公告，三菱电机将在2021财年至2025财年向功率器件业务投资2600亿日元（约合人民币133亿元），投资金额是之前宣布的投资计划的两倍。
其中，约1000亿日元（约合人民币51亿元）将用于建造一个新的8英寸SiC晶圆厂，并增强相关的生产设施，以应对电动汽车市场的扩张需求。
新的8英寸SiC晶圆厂渲染图
据了解，三菱电机的新工厂将建在日本熊本县，主要用于生产大直径8英寸SiC晶圆，并通过引入具有最先进节能性能的洁净室设备，实现高效率生产。同时，三菱电机还将加强其6英寸SiC晶圆的生产设施，以进一步扩大业务。
三菱电机早在1994年就开始碳化硅技术的研发和应用，多年来他们已经率先将碳化硅技术应用在了家电、工业设备、轨道车辆等领域。而这次建设新的产线，主要是为了进军新能源汽车市场。
从技术路线来看，根据三菱电机的公开资料，他们已经开发了3代SiC MOSFET技术，前两代为平面栅技术，而第三代有2个路线——内置SBD和沟槽栅MOSFET。
早在2019年9月，三菱电机便宣布开发出了沟槽型SiC MOSFET，他们将之称为“MIT2-MOS”。
该架构采用多离子倾斜注入技术, 实现了“低栅氧场强”和“低沟道电阻”，导通电阻1.84mΩcm²，击穿电压超过1500V。并且三菱电机还表示，这种架构无需特殊工艺，可生产性强。
来源：行家说三代半
