雷光寅博士主要从SiC功率半导体技术优势；电控研发重点与挑战；发展方向与展望这三个方向做了详细的报告。
在报告中，雷光寅博士大胆预测未来SiC MOSFET将逐步取代部分Si IGBT作为驱动电机控制器中的主功率器件；在提升效率的同时，电控的发展方向是更高的功率密度及更高的系统集成；国内SiC设计和制造进展快速，器件特性达到或接近国际领先水平，SiC MOSFET量产即将到来。
